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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
比较
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
总分
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
总分
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
13.4
11.1
写入速度,GB/s
8.4
6.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2050
1254
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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