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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
49
左右 -123% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
10.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
22
读取速度,GB/s
10.2
18.1
写入速度,GB/s
8.1
13.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2465
3172
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
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