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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
比较
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
总分
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
总分
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
26
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
19
读取速度,GB/s
13.4
20.4
写入速度,GB/s
8.4
17.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2050
3855
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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