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Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
比较
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
总分
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
总分
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
31
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.9
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
31
读取速度,GB/s
13.4
18.9
写入速度,GB/s
8.4
14.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2050
3356
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
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