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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
47
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
33
读取速度,GB/s
11.8
16.5
写入速度,GB/s
9.2
13.4
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
3160
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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