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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
9.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
27
读取速度,GB/s
11.8
18.3
写入速度,GB/s
9.2
15.6
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
3615
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
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