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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
11.8
16.9
写入速度,GB/s
9.2
13.8
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
3285
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
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