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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
总分
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
总分
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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需要考虑的原因
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
43
52
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
43
读取速度,GB/s
9.7
16.1
写入速度,GB/s
7.2
10.7
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2173
2928
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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