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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
47
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
25
读取速度,GB/s
11.8
14.1
写入速度,GB/s
9.2
8.7
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
2372
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
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