RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Porównaj
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
47
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2323
2372
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link