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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.8
8.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
47
左右 -24% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
38
读取速度,GB/s
11.8
8.7
写入速度,GB/s
9.2
7.0
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
1999
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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