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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
9.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
11.8
17.4
写入速度,GB/s
9.2
12.8
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
3113
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
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