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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

总分
star star star star star
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

总分
star star star star star
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

Team Group Inc. DDR4 2800 8GB

差异 规格 评论

差异

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB 需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 17000
    左右 1.13% 更高的带宽
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB 需要考虑的原因
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 47
    左右 -74% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    14.6 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.0 left arrow 9.2
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 14.6
  • 写入速度，GB/s
    9.2 left arrow 11.0
  • 内存带宽，mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2323 left arrow 2890

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Team Group Inc. DDR4 2800 8GB RAM的比较

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
内存RAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
内存RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
内存RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
内存RAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
内存RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
内存RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
内存RAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
内存RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
内存RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
内存RAM