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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
51
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
21
读取速度,GB/s
9.8
18.6
写入速度,GB/s
8.1
14.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3356
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Frequency (Mhz) *
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
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Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
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