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ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
比较
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB vs Kingston HX316C10F/8 8GB
总分
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
总分
Kingston HX316C10F/8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
9.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HX316C10F/8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 -6% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
38
36
读取速度,GB/s
14.8
14.7
写入速度,GB/s
9.3
9.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2303
2585
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB RAM的比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Kingston HX316C10F/8 8GB RAM的比较
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
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