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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
比较
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
总分
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
总分
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.5
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
11.1
19.5
写入速度,GB/s
6.5
14.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2113
3518
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB RAM的比较
Mushkin 992018 (997018) 8GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
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