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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
比较
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
总分
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
总分
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 52% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
6.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
58
读取速度,GB/s
11.1
18.5
写入速度,GB/s
6.5
9.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2113
1998
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB RAM的比较
Mushkin 992018 (997018) 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
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