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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
比较
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
总分
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
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更快的读取速度,GB/s
18.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
12.8
18.5
写入速度,GB/s
6.7
16.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3767
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM的比较
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
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