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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
比较
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
总分
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
12.8
13.7
写入速度,GB/s
6.7
10.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2504
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
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