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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
比较
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
总分
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.6
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
12.8
11.3
写入速度,GB/s
6.7
9.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2395
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
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