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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
比较
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
总分
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
总分
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.6
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
6.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
12.8
18.6
写入速度,GB/s
6.7
15.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3552
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM的比较
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
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