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Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
比较
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
总分
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
39
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
39
读取速度,GB/s
15.6
14.6
写入速度,GB/s
11.0
10.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2599
2513
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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