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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

总分
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

总分
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB 需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 14.6
    测试中的平均数值
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB 需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    26 left arrow 54
    左右 -108% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.8 left arrow 1,973.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    54 left arrow 26
  • 读取速度，GB/s
    4,967.4 left arrow 14.6
  • 写入速度，GB/s
    1,973.5 left arrow 11.8
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    776 left arrow 3124

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM的比较

Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB RAM的比较

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

最新比较

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AMD AE34G2139U2 4GB
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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内存RAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
INTENSO 5641162 8GB
INTENSO 5641162 8GB
内存RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
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内存RAM
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
INTENSO 5641160 8GB
INTENSO 5641160 8GB
内存RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
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内存RAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
内存RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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