RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сравнить
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
54
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
1,973.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,967.4
14.6
Скорость записи, Гб/сек
1,973.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
776
3124
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB Сравнения RAM
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link