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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
77
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.9
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
77
读取速度,GB/s
4,967.4
11.9
写入速度,GB/s
1,973.5
6.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
1517
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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