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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
54
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.2
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
34
读取速度,GB/s
4,967.4
14.3
写入速度,GB/s
1,973.5
11.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
2699
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
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