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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
54
左右 -74% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
31
读取速度,GB/s
4,967.4
16.4
写入速度,GB/s
1,973.5
12.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
2928
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
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Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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