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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
比较
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
总分
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
9.8
18.0
写入速度,GB/s
8.0
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2179
3293
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
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