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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
16.7
18.0
写入速度,GB/s
11.8
13.5
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
3293
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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