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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
54
左右 -42% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
38
读取速度,GB/s
4,967.4
14.8
写入速度,GB/s
1,973.5
13.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
2843
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
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