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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
25.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
54
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
19.5
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
25
读取速度,GB/s
4,967.4
25.2
写入速度,GB/s
1,973.5
19.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
4167
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
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