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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
12.9
18.0
写入速度,GB/s
9.0
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3334
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
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