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SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
比较
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
总分
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
68
左右 -183% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,670.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
24
读取速度,GB/s
3,554.9
15.7
写入速度,GB/s
1,670.7
12.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
513
2517
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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