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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
54
91
左右 41% 更低的延时
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
6.1
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
4.3
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
91
读取速度,GB/s
4,967.4
6.1
写入速度,GB/s
1,973.5
4.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
1214
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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