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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905678-138.A00G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
77
左右 -221% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
24
读取速度,GB/s
3,405.2
16.0
写入速度,GB/s
2,622.0
10.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2549
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
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