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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
54
左右 -2% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
53
读取速度,GB/s
4,967.4
16.5
写入速度,GB/s
1,973.5
9.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
2301
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
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