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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
比较
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
总分
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
总分
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
54
左右 -69% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.2
1,973.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
32
读取速度,GB/s
4,967.4
20.4
写入速度,GB/s
1,973.5
15.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
776
3483
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
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