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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Maxsun MSD48G30Q3 8GB

总分
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

总分
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Maxsun MSD48G30Q3 8GB

Maxsun MSD48G30Q3 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB 需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    54 left arrow 68
    左右 21% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 15.5
    测试中的平均数值
Maxsun MSD48G30Q3 8GB 需要考虑的原因
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
报告一个错误
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 1,973.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    54 left arrow 68
  • 读取速度，GB/s
    4,967.4 left arrow 15.5
  • 写入速度，GB/s
    1,973.5 left arrow 8.1
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    776 left arrow 1925

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB RAM的比较

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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
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内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
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内存RAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
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内存RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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