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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
54
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
31
读取速度,GB/s
9.2
11.0
写入速度,GB/s
8.1
8.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2271
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
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G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
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Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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