RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
54
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
31
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
2271
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link