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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,034.7
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 -85% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
26
读取速度,GB/s
4,295.1
19.7
写入速度,GB/s
2,034.7
14.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
3484
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
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Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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