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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,034.7
11.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
48
左右 -33% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
36
读取速度,GB/s
4,295.1
15.5
写入速度,GB/s
2,034.7
11.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
2937
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
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