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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,034.7
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
48
左右 -23% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
39
读取速度,GB/s
4,295.1
19.5
写入速度,GB/s
2,034.7
14.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
3825
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
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