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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
9.4
17.1
写入速度,GB/s
5.5
12.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2898
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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