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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
9.4
17.1
写入速度,GB/s
5.5
12.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2898
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
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