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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,034.7
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
48
左右 -85% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
26
读取速度,GB/s
4,295.1
18.5
写入速度,GB/s
2,034.7
14.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
3596
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
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