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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,034.7
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
48
左右 -26% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
38
读取速度,GB/s
4,295.1
14.3
写入速度,GB/s
2,034.7
10.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
2638
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
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