RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,034.7
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
48
左右 -55% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
31
读取速度,GB/s
4,295.1
18.3
写入速度,GB/s
2,034.7
14.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
3414
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB RAM的比较
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link