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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

总分
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Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

总分
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 37
    左右 -12% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.1 left arrow 14.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.0 left arrow 10.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 19200
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    37 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    14.4 left arrow 16.1
  • 写入速度，GB/s
    10.4 left arrow 13.0
  • 内存带宽，mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2179 left arrow 2987

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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