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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,034.7
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
48
左右 -118% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
22
读取速度,GB/s
4,295.1
16.5
写入速度,GB/s
2,034.7
13.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
3665
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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