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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,034.7
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
48
左右 -71% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
28
读取速度,GB/s
4,295.1
17.4
写入速度,GB/s
2,034.7
14.5
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
3419
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
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